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中国目前光刻机处于怎样的水平？

如果荷兰AMSL的光刻机是一流标准，日本的东芝是二流水平，则中国的光刻机应当在世界三流向二流过渡的水平。因为目前已透露的信息显示14nm芯片制造需要的光刻机已在试制中，28nm的光刻机已制造完成………正在调整完善中。

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目前来看，我国自研的光刻机还依然处于制程工艺为90纳米的水准。

这个水准的光刻机，隶属于第四代步进扫描式光刻机，采用的是波长为193纳米的，深紫外光ArF光源，其制程工艺在135纳米-65纳米之间。

与浸没式光刻机相比差半代，与EUV光刻机相比差一代。

国内这型制程工艺在90纳米的光刻机，也就是由上海微电子生产的SSX-600/20型光刻机。

该光刻机采用了四倍缩小物镜，自适应调焦调平技术，六自由度工件台掩膜台技术，可以适应8寸或者12寸的晶圆。

也就是说，目前国内最先进的光刻机，也只能达到90纳米的制程工艺，不过经过多次曝光之后，估计制程工艺还会进一步缩小。

而国际上最先进的，制程工艺最低的，就是ASML集成的EUV光刻机。该光刻机的制程工艺已经达到了7纳米，采用了波长为13.5纳米的EUV光源；镀了近百层钼和硅制成薄膜的反射镜，而薄膜的粗糙度控制在零点几纳米级别；还有运动精度误差控制在1.8纳米的双工件台。以上只是EUV光刻机，最为重要的三大部件。而一整台EUV光刻机是由10万多个零部件，且还要经过工程师上百万次的调试，才可以交付使用。

日前（2020/05/14），全球芯片制造设备巨头阿斯麦（ASML)）公司与无锡高新区签署战略合作协议。原以为这是引领核心技术产业发展的一面旗帜？但只是一场美丽的误会，ASML只是在无锡升级光刻设备技术服务基地。

若设备进口不算，还停留在实验室阶段的也不算，实际上代表国产光刻机最高水平的目前还仍是上海微电子的90nm制程工艺。

那为什么会有人认为咱们光刻机已经进入了22nm时代？甚至说5nm工艺？

其实是误解。关于5nm的说法其实是刻蚀机技术，并非光刻机。早在2018年的时候，中微半导体就宣布掌握了5nm刻蚀机技术，还通过了台积电5nm工艺校验。

但是，光刻机国产化进程显然要比刻蚀机要缓慢太多！22nm时代至多是踏入了半只脚。

2018年11月，中科院光电所经过7年研发，成功验收了“超分辨光刻装备项目”。据悉，这是世界上首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备，能够实现22nm光刻工艺。

4月份上海微电子也宣布实现了22nm光刻机的研发突破。但就没有透露其它的细节信息。这样也只能是用“停留”在试验室来定论了，毕竟目前看来光刻机22nm节点离商业化落地还较远，短时间内无法迅速落地并进行生产。

关于国产光刻机目前处于什么水平，网上的各种消息让人搞的有点乱。一边有人说我们的光刻机仍然处于90nm水平，一边又有人说我们的光刻机已经处于5nm水平了，国产光刻机究竟什么水平？

关于这个90nm和5nm水平，大部分是混淆了两个机器，虽然这两个机器名字只有一字之差，但是它所代表的意义就大不相同。

国产光刻机水平：目前是90nm水平，其它更加先进的仍旧处于实验室阶段，想要实现商用还需要很长一段时间。

2018年时中科院的“超分辨光刻装备研制”通过验收，它的光刻分辨力达到22nm，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10nm级别的芯片。

但是这也是仅仅处于实验室阶段，也就是想要真正的投入商用还是需要很长一段时间。

国产蚀刻机水平：中微半导体做的蚀刻机已经达到了5nm水平，也得到了台积电的相关认证，可以说是非常领先的。

这里大部分人就是混淆了这个光刻机和蚀刻机两个概念，虽然它们只有一字之差，但是意义却大不相同。全球能做顶级蚀刻机的有好几家，而能做最顶级光刻机的只有荷兰的ASML一家。

在芯片生产过程中，光刻机相当于在一块晶圆上复印了一张画的图案（也就是芯片内部电路图的图案）而蚀刻机作用就是把光刻机复印的图案进行雕刻。

相比于光刻机，蚀刻机的地位并不是非常的重要，因为全球范围能做顶级蚀刻机的有好几家厂商，能做顶级光刻机的只有ASML一家独大。佳能和尼康也可以做光刻机，但是与ASML根本不是一个级别的。

可以说在芯片生产过程中，光刻机相当于一个人体的头部起着控制作用，而蚀刻机只能说是人体的四肢。脑部有选择性，它可以不用你这个四肢，也就是换用其它家的顶级蚀刻机，而光刻机就独此一家。

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